KOA Speer RN731JLTD1021D25

包装/外壳

TO-220-3

Emitter- Base Voltage VEBO

9 V

Pd - Power Dissipation

40 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.5 V

Unit Weight

0.080072 oz

Minimum Operating Temperature

-

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

50

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

onsemi

Brand

onsemi / Fairchild

Maximum DC Collector Current

5 A

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

450 V

Voltage, Rating

75 V

系列

BUT11AF

包装

Tube

容差

0.5 %

温度系数

25 ppm/°C

电阻

1.02 kΩ

最高工作温度

155 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Thin Film

子类别

Transistors

额定功率

63 mW

技术

Si

配置

Single

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

集电极基极电压(VCBO)

1 kV

连续集电极电流

5 A

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

宽度

4.7 mm

高度

9.19 mm

长度

10.16 mm