SQCB9M111GA1ME详情
KYOCERA SQCB9M111GA1ME重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
非标准 SMD
安装类型
表面贴装
供应商器件包装
PLAD
Package
Bulk
Base Product Number
PLAD18
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Voltage Rated
300V
Operating Temperature (Min)
-55 °C
Voltage, Rating
300 V
Voltage Rating (DC)
300 V
Operating Temperature (Max)
175 °C
RoHS
Compliant
操作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
系列
Military, MIL-PRF-19500
包装
Tape & Reel
尺寸/尺寸
0.110 L x 0.110 W (2.79mm x 2.79mm)
容差
±2%
终端
SMD/SMT
温度系数
M
类型
Zener
应用
通用型
电容量
110 pF
深度
2.79 mm
引线间距
-
引线样式
-
电源线保护
无
电压 - 击穿
200V
功率 - 脉冲峰值
18000W (18kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
62A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
291V
电压 - 反向断态(典型值)
180V
单向通道
1
电容@频率
-
特征
High Q, Low Loss
座位高度(最大)
-
宽度
2.794 mm
高度
762 µm
长度
2.79 mm
厚度(最大)
0.102 (2.59mm)
器件厚度
2.5908 mm
辐射硬化
无
评级结果
-
SQCB9M111GA1ME拓展信息
KYOCERA
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