注：图像仅供参考，请参阅产品规格

技术文档

PDF文档列表

KYOCERA Corporation P2HM1102H

Name: P2HM1102H
Brand: KYOCERA Corporation
SKU: 1406-P2HM1102H
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

收藏
对比

型号

P2HM1102H

品牌

KYOCERA Corporation

utmel 编号

1406-P2HM1102H

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 250V, 0.033ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MODULE-8

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表

P2HM1102H KYOCERA Corporation Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 250V, 0.033ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MODULE-8

请发送询价，我们将立即回复。

库存:

请发送询价，我们将立即回复。

* 联系人姓名

* 电话

* 邮箱

* 公司名称

* 数量

在线咨询

P2HM1102H详情

技术参数

PDF文档

KYOCERA Corporation P2HM1102H重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

8
晶体管元件材料

SILICON
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

KYOCERA CORP
Package Description

FLANGE MOUNT, R-XUFM-X8
Drain Current-Max (ID)

80 A
Number of Elements

2
Operating Temperature-Max

150 °C
Package Body Material

UNSPECIFIED
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
ECCN 代码

EAR99
端子位置

UPPER
终端形式

UNSPECIFIED
Reach合规守则

unknown
JESD-30代码

R-XUFM-X8
资历状况

不合格
配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

ISOLATED
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.033 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

220 A
DS 击穿电压-最小值

250 V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

0个相似型号

P2HM1102H拓展信息

热销零件