对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 晶体管元件材料 | Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id | 操作温度 | 包装 | 已出版 | 系列 | JESD-609代码 | 无铅代码 | 零件状态 | 湿度敏感性等级(MSL) | 终止次数 | ECCN 代码 | 电压 - 额定直流 | 技术 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | 额定电流 | 时间@峰值回流温度-最大值(s) | 配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 接通延迟时间 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 上升时间 | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 下降时间(典型值) | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | 栅极至源极电压(Vgs) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 场效应管特性 | 辐射硬化 | 达到SVHC | RoHS状态 | 无铅 | |||||||
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RTQ025P02TR | ROHM Semiconductor | 数据表 | 8800 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | 表面贴装 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | 6 | SILICON | 2.5V 4.5V | 1 | 1.25W Ta | 40 ns | 2.5A Ta | 2V @ 1mA | 150°C TJ | Tape & Reel (TR) | 2003 | e1 | yes | 不用于新设计 | 1 (Unlimited) | 6 | EAR99 | -20V | DUAL | 鸥翼 | 260 | -2.5A | 10 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 1.25W | 12 ns | P-Channel | SWITCHING | 100m Ω @ 2.5A, 4.5V | 580pF @ 10V | 6.4nC @ 4.5V | 20ns | 20V | ±12V | 20 ns | 2.5A | -2V | 12V | 0.11Ohm | -20V | 无 | 无SVHC | ROHS3 Compliant | 无铅 | |||||||||
RTQ025P02TR | LAPIS | 数据表 | N/A | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | 表面贴装 | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 | TSMT6 (SC-95) | 2.5A (Ta) | RTQ025P02MGTR | 2.5V, 4.5V | 1.25W (Ta) | Lead free / RoHS Compliant | 2V @ 1mA | 150°C (TJ) | Tape & Reel (TR) | - | 1 (Unlimited) | MOSFET (Metal Oxide) | P-Channel | 100 mOhm @ 2.5A, 4.5V | 580pF @ 10V | 6.4nC @ 4.5V | 20V | ±12V | - |


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