Lattice Semiconductor AN0120NA

表面安装

NO

终端数量

18

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

AN0120NA

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROCHIP TECHNOLOGY INC

Package Description

PLASTIC, DIP-18

Risk Rank

5.4

Drain Current-Max (ID)

0.03 A

Number of Elements

8

Operating Temperature-Max

85 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDIP-T18

资历状况

不合格

配置

COMMON SOURCE, 8 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.03 A

漏极-源极导通最大电阻

300 Ω

DS 击穿电压-最小值

200 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.5 W

反馈上限-最大值 (Crss)

1.5 pF