LN2502LT1G详情
Leshan LN2502LT1G重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Max
150 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
LN2502LT1G
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
LRC Leshan Radio Co Ltd
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
LESHAN RADIO CO LTD
Risk Rank
5.65
Drain Current-Max (ID)
4.2 A
ECCN 代码
EAR99
附加功能
超低电阻
子类别
FET 通用电源
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-236AB
最大漏极电流 (Abs) (ID)
4.2 A
漏极-源极导通最大电阻
0.04 Ω
DS 击穿电压-最小值
20 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
LN2502LT1G拓展信息








哦! 它是空的。