LSD11N65F详情
LONTEN LSD11N65F重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
LSD11N65F
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Xiu2019an Lonten Renewable Energy Technology Inc
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
接触制造商
Ihs Manufacturer
XIAN LONTEN RENEWABLE ENERGY TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.72
Drain Current-Max (ID)
11 A
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
0.36 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
30 A
DS 击穿电压-最小值
650 V
雪崩能量等级(Eas)
350 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
LSD11N65F拓展信息








哦! 它是空的。