MX35UF2G14AC-Z4I
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Macronix MX35UF2G14AC-Z4I

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型号

MX35UF2G14AC-Z4I

品牌

Macronix

utmel 编号

1513-MX35UF2G14AC-Z4I

商品类别

存储器

封装

1210 (3225 Metric)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

NAND Flash Memory 2Gb 1.7V to 1.95V Serial 8-Pin WSON

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MX35UF2G14AC-Z4I
MX35UF2G14AC-Z4I Macronix NAND Flash Memory 2Gb 1.7V to 1.95V Serial 8-Pin WSON

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MX35UF2G14AC-Z4I详情

Macronix MX35UF2G14AC-Z4I重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 包装/外壳

    1210 (3225 Metric)

  • 安装类型

    表面贴装

  • 表面安装

    YES

  • 供应商器件包装

    1210

  • 终端数量

    8

  • Package

    Tape & Reel (TR)

  • 厂商

    Kamaya Inc.

  • Product Status

    活跃

  • Memory Types

    Non-Volatile

  • Package Description

    HVSON,

  • Package Style

    SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE

  • Number of Words Code

    512000000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Operating Temperature-Min

    -40 °C

  • Operating Temperature-Max

    85 °C

  • Manufacturer Part Number

    MX35UF2G14AC-Z4I

  • Clock Frequency-Max (fCLK)

    104 MHz

  • Number of Words

    536870912 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    1.8 V

  • Package Code

    HVSON

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    Macronix International Co Ltd

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    MACRONIX INTERNATIONAL CO LTD

  • Risk Rank

    5.79

  • 操作温度

    -55°C ~ 155°C

  • 系列

    RMC

  • 尺寸/尺寸

    0.122 L x 0.098 W (3.10mm x 2.50mm)

  • 容差

    ±1%

  • 终止次数

    2

  • 温度系数

    ±100ppm/°C

  • 类型

    SLC NAND类型

  • 电阻

    1.74 kOhms

  • 组成

    厚膜

  • 功率(瓦特)

    0.5W, 1/2W

  • 技术

    FLASH - NAND (SLC)

  • 电压 - 供电

    1.7V ~ 1.95V

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    无铅

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    1.27 mm

  • Reach合规守则

    unknown

  • JESD-30代码

    R-PDSO-N8

  • 失败率

    -

  • 电源电压-最大值(Vsup)

    1.95 V

  • 温度等级

    INDUSTRIAL

  • 电源电压-最小值(Vsup)

    1.7 V

  • 内存大小

    2Gbit

  • 操作模式

    SYNCHRONOUS

  • 时钟频率

    104 MHz

  • 访问时间

    8 ns

  • 内存格式

    FLASH

  • 内存接口

    Parallel

  • 组织结构

    512MX4

  • 座位高度-最大

    0.8 mm

  • 内存宽度

    4

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    600µs

  • 记忆密度

    2147483648 bit

  • 并行/串行

    SERIAL

  • 内存IC类型

    FLASH

  • 编程电压

    1.8 V

  • 特征

    -

  • 组织的记忆

    512M x 4

  • 座位高度(最大)

    0.028 (0.70mm)

  • 宽度

    6 mm

  • 长度

    8 mm

  • 评级结果

    -

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