MagnaChip MDC0531ET

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

8 A

Number of Elements

2

Operating Temperature-Max

150 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Risk Rank

5.76

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Ihs Manufacturer

MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD

Part Life Cycle Code

接触制造商

Manufacturer Part Number

MDC0531ET

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G8

配置

COMMON DRAIN, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

8 A

漏极-源极导通最大电阻

0.023 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

45 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.7 W

反馈上限-最大值 (Crss)

105 pF