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MagnaChip MDU1513URH

Name: MDU1513URH
Brand: MagnaChip
SKU: 1520-MDU1513URH
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MDU1513URH

品牌

MagnaChip

utmel 编号

1520-MDU1513URH

商品类别

无类别的

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 88.1A I(D), 30V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DFN56, 8 PIN

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MDU1513URH MagnaChip Power Field-Effect Transistor, 88.1A I(D), 30V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DFN56, 8 PIN

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MDU1513URH详情

技术参数

MagnaChip MDU1513URH重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
表面安装

YES
引脚数

8
终端数量

5
晶体管元件材料

SILICON
Number of Elements

1
RoHS

Compliant
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Package Style

小概要
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Operating Temperature-Min

-55 °C
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
Rohs Code

有
Manufacturer Part Number

MDU1513URH
Package Shape

RECTANGULAR
Manufacturer

MagnaChip Semiconductor Ltd
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD
Risk Rank

5.74
Drain Current-Max (ID)

88.1 A
包装

卷带
最高工作温度

150 °C
最小工作温度

-55 °C
端子位置

DUAL
终端形式

FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
JESD-30代码

R-PDSO-F5
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
功率耗散

5.5 W
箱体转运

DRAIN
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
连续放电电流(ID)

26.1 A
栅极至源极电压(Vgs)

20 V
漏极-源极导通最大电阻

0.0046 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100 A
DS 击穿电压-最小值

30 V
雪崩能量等级（Eas）

118 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
辐射硬化

无
达到SVHC

unknown

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MDU1513URH拓展信息

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