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MagnaChip MDV5524URH

Name: MDV5524URH
Brand: MagnaChip
SKU: 1520-MDV5524URH
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

MDV5524URH

品牌

MagnaChip

utmel 编号

1520-MDV5524URH

商品类别

无类别的

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 30V, 0.0144ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DFN33, 8 PIN

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MDV5524URH MagnaChip Power Field-Effect Transistor, 8.5A I(D), 30V, 0.0144ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, DFN33, 8 PIN

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MDV5524URH详情

技术参数

MagnaChip MDV5524URH重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

8
晶体管元件材料

SILICON
Drain-Source On-Volt

30(V)
Operating Temperature Classification

Military
Package Type

POWER DFN EP
Operating Temp Range

-55C to 150C
Gate-Source Voltage (Max)

±20(V)
Channel Mode

Enhancement
Number of Elements

2
Rad Hardened

无
Mounting

表面贴装
Schedule B

8541290080, 8541290080/8541290080/8541290080/8541290080/8541290080
RoHS

Non-Compliant
Package Description

DFN33, 8 PIN
Package Style

小概要
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)

未说明
Rohs Code

有
Manufacturer Part Number

MDV5524URH
Package Shape

SQUARE
Manufacturer

MagnaChip Semiconductor Ltd
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

MAGNACHIP SEMICONDUCTOR LTD
Risk Rank

8.04
Drain Current-Max (ID)

8.5 A
包装

卷带
ECCN 代码

EAR99
类型

功率MOSFET
端子位置

DUAL
终端形式

无铅
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
引脚数量

8
JESD-30代码

S-PDSO-N8
极性

N
配置

SERIES, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
箱体转运

排水源头
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.0144 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

100 A
DS 击穿电压-最小值

30 V
雪崩能量等级（Eas）

12.1 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
达到SVHC

unknown

0个相似型号

MDV5524URH拓展信息

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