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'irf9230'

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产品型号

品牌

数据表

库存

价格(含增值税)

数量

Rohs

生命周期状态

底架

安装类型

包装/外壳

表面安装

引脚数

供应商器件包装

终端数量

晶体管元件材料

厂商

操作温度

JESD-609代码

ECCN 代码

端子表面处理

最高工作温度

最小工作温度

子类别

最大功率耗散

端子位置

终端形式

峰值回流焊温度(摄氏度)

Reach合规守则

JESD-30代码

资历状况

螺纹距离

配置

操作模式

功率耗散

箱体转运

场效应管类型

晶体管应用

Rds On(Max)@Id,Vgs

不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

漏源电压 (Vdss)

Vgs(最大值)

极性/通道类型

连续放电电流(ID)

阈值电压

JEDEC-95代码

栅极至源极电压(Vgs)

最大漏极电流 (Abs) (ID)

漏极-源极导通最大电阻

漏源击穿电压

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

DS 击穿电压-最小值

信道型

雪崩能量等级(Eas)

场效应管技术

最大耗散功率(Abs)

场效应管特性

漏源电阻

栅源电压

通态电阻

辐射硬化

达到SVHC

无铅

IRF9230
IRF9230
Infineon 数据表

240 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

NO

2

SILICON

6.5

6.5 A

5.09

INFINEON TECHNOLOGIES AG

活跃

1

Infineon Technologies AG

ROUND

IRF9230

150 °C

未说明

METAL

FLANGE MOUNT

TO-3, 2 PIN

e0

EAR99

Tin/Lead (Sn/Pb)

其他晶体管

BOTTOM

PIN/PEG

未说明

unknown

O-MBFM-P2

不合格

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

增强型MOSFET

75

DRAIN

SWITCHING

P-CHANNEL

TO-204AA

6.5 A

0.92 Ω

28 A

200 V

P

66 mJ

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

75 W

IRF9230
IRF9230
International Rectifier 数据表

9183 In Stock

-

最小起订量: 1

最小包装量: 1

Production (Last Updated: 2 years ago)

通孔

通孔

TO-204AA, TO-3

2

TO-204AA (TO-3)

International Rectifier

活跃

Bulk

Non-Compliant

75W (Tc)

10V

6.5A (Tc)

-55°C ~ 150°C (TJ)

150 °C

-55 °C

75 W

11 mm

75 W

P-Channel

940mOhm @ 6.5A, 10V

4V @ 250μA

700 pF @ 25 V

31 nC @ 10 V

200 V

±20V

-4 A

-4 V

20 V

-200 V

-

800 mΩ

-4 V

800 mΩ

无SVHC

含铅