对比 | 图片 | 产品型号 | 品牌 | 数据表 | 库存 | 价格(含增值税) | 数量 | Rohs | 生命周期状态 | 底架 | 安装类型 | 包装/外壳 | 表面安装 | 引脚数 | 供应商器件包装 | 终端数量 | 晶体管元件材料 | 厂商 | 操作温度 | JESD-609代码 | ECCN 代码 | 端子表面处理 | 最高工作温度 | 最小工作温度 | 子类别 | 最大功率耗散 | 端子位置 | 终端形式 | 峰值回流焊温度(摄氏度) | Reach合规守则 | JESD-30代码 | 资历状况 | 螺纹距离 | 配置 | 操作模式 | 功率耗散 | 箱体转运 | 场效应管类型 | 晶体管应用 | Rds On(Max)@Id,Vgs | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 输入电容(Ciss)(Max)@Vds | 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 漏源电压 (Vdss) | Vgs(最大值) | 极性/通道类型 | 连续放电电流(ID) | 阈值电压 | JEDEC-95代码 | 栅极至源极电压(Vgs) | 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 漏极-源极导通最大电阻 | 漏源击穿电压 | 脉冲漏极电流-最大值(IDM) | DS 击穿电压-最小值 | 信道型 | 雪崩能量等级(Eas) | 场效应管技术 | 最大耗散功率(Abs) | 场效应管特性 | 漏源电阻 | 栅源电压 | 通态电阻 | 辐射硬化 | 达到SVHC | 无铅 | |||||||||||||||||||||
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IRF9230 | Infineon | 数据表 | 240 In Stock | - | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | NO | 2 | SILICON | 6.5 | 6.5 A | 5.09 | INFINEON TECHNOLOGIES AG | 活跃 | 1 | Infineon Technologies AG | ROUND | IRF9230 | 无 | 150 °C | 未说明 | METAL | FLANGE MOUNT | TO-3, 2 PIN | e0 | EAR99 | Tin/Lead (Sn/Pb) | 其他晶体管 | BOTTOM | PIN/PEG | 未说明 | unknown | O-MBFM-P2 | 不合格 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 增强型MOSFET | 75 | DRAIN | SWITCHING | P-CHANNEL | TO-204AA | 6.5 A | 0.92 Ω | 28 A | 200 V | P | 66 mJ | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | 75 W | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IRF9230 | International Rectifier | 数据表 | 9183 In Stock |
- | 最小起订量: 1 最小包装量: 1 | Production (Last Updated: 2 years ago) | 通孔 | 通孔 | TO-204AA, TO-3 | 2 | TO-204AA (TO-3) | International Rectifier | 活跃 | Bulk | Non-Compliant | 75W (Tc) | 10V | 6.5A (Tc) | -55°C ~ 150°C (TJ) | 150 °C | -55 °C | 75 W | 11 mm | 75 W | P-Channel | 940mOhm @ 6.5A, 10V | 4V @ 250μA | 700 pF @ 25 V | 31 nC @ 10 V | 200 V | ±20V | -4 A | -4 V | 20 V | -200 V | - | 800 mΩ | -4 V | 800 mΩ | 无 | 无SVHC | 含铅 |


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