DS1630Y-120详情
Maxim DS1630Y-120重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
28
Package Style
IN-LINE
Number of Words Code
32000
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Equivalence Code
DIP28,.6
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
120 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
DS1630Y-120
Number of Words
32768 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
DIP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
达拉斯半导体
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
DALLAS SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.36
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
10 YEAR DATA RETENTION
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
DUAL
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
2.54 mm
JESD-30代码
R-XDIP-P28
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.085 mA
组织结构
32KX8
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.005 A
记忆密度
262144 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
NON-VOLATILE SRAM MODULE
达到SVHC
unknown
DS1630Y-120拓展信息








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