DS2009R50详情
Maxim DS2009R50重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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表面安装
YES
终端数量
32
Package Style
CHIP CARRIER
Number of Words Code
512
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
LDCC32,.5X.6
Access Time-Max
50 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
DS2009R-50
Clock Frequency-Max (fCLK)
15.38 MHz
Number of Words
512 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
QCCJ
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
达拉斯半导体
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
DALLAS SEMICONDUCTOR
Risk Rank
5.73
JESD-609代码
e0
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
附加功能
RETRANSMIT
子类别
FIFOs
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
S-PQCC-J32
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.1 mA
组织结构
512X9
输出特性
3-STATE
内存宽度
9
待机电流-最大值
0.008 A
记忆密度
4608 bit
并行/串行
PARALLEL
内存IC类型
其他先进先出
输出启用
NO
周期
65 ns
DS2009R50拓展信息








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