MAXIM Dallas DS1230W-150-IND

表面安装

NO

终端数量

28

Package Description

0.740 INCH, EXTENDED MODULE, DIP-28

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

32000

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Equivalence Code

DIP28,.6

Access Time-Max

150 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

DS1230W-150-IND

Number of Words

32768 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

达拉斯半导体

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

DALLAS SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.68

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

10 YEARS MINIMUM DATA RETENTION

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

JESD-30代码

R-XDIP-T28

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.05 mA

组织结构

32KX8

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.00015 A

记忆密度

262144 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

NON-VOLATILE SRAM MODULE

达到SVHC

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