MDD(Microdiode Semiconductor) B772
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B772
2817-B772
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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大陆
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30V 500mW 160@1A,2V 3A PNP SOT-89 Bipolar (BJT) ROHS
1最小包装量--
B772详情
MDD(Microdiode Semiconductor) B772重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib)
300mV@2A,200mA
Transition Frequency (fT)
50MHz
Collector Current (Ic)
3A
DC Current Gain (hFE@Ic,Vce)
160@1A,2V
Power Dissipation (Pd)
500mW
Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo)
30V
Collector Cut-Off Current (Icbo)
1uA
操作温度
-55℃~+150℃@(Tj)
晶体管类型
PNP
B772拓展信息
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