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MDD（Microdiode Electronics） 2N7002K

Name: 2N7002K
Brand: MDD（Microdiode Electronics）
SKU: 2885-2N7002K
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

2N7002K

品牌

MDD（Microdiode Electronics）

utmel 编号

2885-2N7002K

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

60V 500mA 900mΩ@10V,500mA 300mW 1.6V@250uA 1.5pF@30V N Channel 23.8pF@30V 930pC@10V 150℃@(Tj) SOT-23 MOSFETs ROHS

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2N7002K MDD（Microdiode Electronics） 60V 500mA 900mΩ@10V,500mA 300mW 1.6V@250uA 1.5pF@30V N Channel 23.8pF@30V 930pC@10V 150℃@(Tj) SOT-23 MOSFETs ROHS

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2N7002K详情

技术参数

MDD（Microdiode Electronics） 2N7002K重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件包装

SOT-23
Package

Tape & Reel (TR)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

500mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V
厂商

MDD
Power Dissipation (Max)

500mW (Ta)
Product Status

活跃
操作温度

-55°C ~ 150°C
系列

SOT-23
技术

MOSFET (Metal Oxide)
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

900mOhm @ 300mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.5V @ 250µA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

23.8 pF @ 10 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

0.31 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

60 V
Vgs（最大值）

±20V
场效应管特性

-

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2N7002K拓展信息

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