Microchip 1N3050BUR-1

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-213AB, MELF (Glass)

供应商器件包装

DO-213AB (MELF, LL41)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Manufacturer Part Number

1N3050BUR-1

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

DO-213AB

Package Description

HERMETIC SEALED, LEADLESS, GLASS, MELF-2

Risk Rank

5.52

Number of Elements

1

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

1.25 W

Reference Voltage-Nom

180 V

Package

Bulk

Base Product Number

1N3050

Impedance (Max) (Zzt)

1200 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Zz - Zener Impedance

1.2 kOhms

Pd - Power Dissipation

1.5 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Vz - Zener Voltage

180 V

Voltage Temperature Coefficient

0.095 %/C

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

-

容差

±5%

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

附加功能

METALLURGICALLY BONDED, HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

500 nA @ 136.8 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.2 V @ 200 mA

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

1.5 W

测试电流

1.4 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

180 V

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-213AB

工作测试电流

1.4 mA

电压允差

5 %

齐纳电流

7.35 mA