Microchip 1N3157UR-1

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-213AA

供应商器件包装

DO-213AA

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

1N3157UR-1

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

O-LELF-R2

Risk Rank

5.21

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Reference Voltage-Nom

8.4 V

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Bulk

Base Product Number

1N3157

Impedance (Max) (Zzt)

15 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Vz - Zener Voltage

8.4 V

操作温度

-65°C ~ 175°C

系列

-

容差

-

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

JESD-30代码

O-LELF-R2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

10 µA @ 5.5 V

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

500 mW

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

8.4 V

最大电压允差

4.76%

JEDEC-95代码

DO-213AA

工作测试电流

10 mA

齐纳电流

10 uA

动态阻抗-最大值

15 Ω

电压温度系数

0.084 mV/°C