Microchip 1N3312Be3

表面安装

NO

安装类型

Stud Mount

包装/外壳

DO-203AB, DO-5, Stud

供应商器件包装

DO-5

二极管元件材料

SILICON

终端数量

1

Manufacturer Part Number

1N3312BE3

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

O-MUPM-D1

Risk Rank

5.42

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

POST/STUD MOUNT

Power Dissipation (Max)

50 W

Reference Voltage-Nom

13 V

Package

Tray

Base Product Number

1N3312

Impedance (Max) (Zzt)

1.1 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

微芯片技术

RoHS

Details

操作温度

-65°C ~ 175°C (TA)

系列

-

包装

Tray

容差

±5%

ECCN 代码

EAR99

附加功能

PD-CASE

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

端子位置

UPPER

终端形式

SOLDER LUG

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-MUPM-D1

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

10 µA @ 9.9 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.5 V @ 10 A

箱体转运

ANODE

功率 - 最大

50 W

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

13 V

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-203AB

工作测试电流

960 mA

产品类别

齐纳二极管