Microchip 1N4100

表面安装

NO

包装/外壳

DO-7-2

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

0.48 W

Reference Voltage-Nom

7.5 V

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Manufacturer Part Number

1N4100

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

DO-35

Package Description

O-LALF-W2

Risk Rank

1.44

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

GLASS

Package

Bulk

Base Product Number

1N4100

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Ir - Reverse Current

10 uA

Zz - Zener Impedance

200 Ohms

Ir - Maximum Reverse Leakage Current

1 uA

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Unit Weight

0.007055 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Brand

微芯片技术

Vz - Zener Voltage

7.5 V

RoHS

N

Voltage Temperature Coefficient

0.065 %/C

系列

*

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

Diodes & Rectifiers

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-LALF-W2

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

箱体转运

ISOLATED

测试电流

250 uA

产品类别

齐纳二极管

最大电压允差

5%

JEDEC-95代码

DO-204AH

工作测试电流

0.25 mA

电压允差

5 %

齐纳电流

51 mA

Vf-正向电压

1 V

产品类别

齐纳二极管

长度

7.62 mm

直径

2.718 mm