Microchip 1N4607

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-204AH, DO-35, Axial

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

2

供应商器件包装

DO-35

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Connections

1/4 NPT

Case Size

2.5

Manufacturer Part Number

25-410-3000-psi

Case Style

Center Back Mount

Range

0-3,000 psi

Manufacturer

NOSHOK

Package

Bulk

Base Product Number

1N4607

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Schedule B

8541100070, 8541210080, 8541210080/8541210080, 8541210080/8541210080/8541210080

RoHS

Compliant

Ir - Reverse Current

100 uA

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Unit Weight

0.004833 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Brand

微芯片技术

If - Forward Current

250 mA

Peak Reverse Voltage

70 V

Package Style

长式

Package Body Material

GLASS

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

2.26

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.70

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

Standard

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

不合格

配置

Single

元素配置

Single

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

二极管类型

接收电极

反向泄漏电流@ Vr

100 µA @ 50 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.1 V @ 400 mA

箱体转运

ISOLATED

正向电流

200 mA

工作温度 - 结点

-65°C ~ 200°C

最大浪涌电流

4 A

输出电流-最大值

0.2 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

85 V

平均整流电流（Io）

200mA

正向电压

1.1 V

最大反向电压（DC）

85 V

平均整流电流

200 mA

产品类别

Diodes - General Purpose, Power, Switching

反向恢复时间

10

最大重复反向电压(Vrrm)

85 V

JEDEC-95代码

DO-35

电容@Vr, F

-

峰值非恢复性浪涌电流

1 A

恢复时间

10 ns

重复峰值反向电压

85

反向恢复时间-最大值

0.01 µs

反向恢复时间(trr)

10 ns

产品

开关二极管

Vf-正向电压

1.1 V

产品类别

Diodes - General Purpose, Power, Switching

辐射硬化

无