Microchip 1N5557

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-13

表面安装

NO

供应商器件包装

DO-13

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Supplier Package

DO-13

Peak Pulse Power Dissipation

1500 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

通孔

Package

Bulk

Base Product Number

1N5557

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

54 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.052911 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

19 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Package Description

O-MALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

1N5557

Power Dissipation (Max)

1 W

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

2

Part Package Code

DO-13

操作温度

-65 to 175 °C

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

not_compliant

额定电流

5 uA

引脚数量

2

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-MALF-W2

资历状况

不合格

工作电源电压

49.3 V

工作电压

49.3 V

极性

单向

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

54V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

19A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

78.5V

箝位电压

78.5 V

电压 - 反向断态（典型值）

49V

测试电流

1 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

49 V

JEDEC-95代码

DO-202AA

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

54 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes