Microchip 1N5610

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

G, Axial

底架

通孔

引脚数

2

供应商器件包装

G, Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

1N5610

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Package Description

HERMETICALLY SEALED, GLASS PACKAGE-2

Risk Rank

5.46

Number of Elements

1

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

3 W

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

Discontinued at Digi-Key

Schedule B

8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/85

Reverse Stand-off Voltage

30.5 V

RoHS

Compliant

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb) - with Nickel (Ni) barrier

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY, METALLURGICALLY BONDED

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

O-LALF-W2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

泄漏电流

5 µA

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

33V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

32A

最大反向漏电电流

5 µA

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

47.6V

箝位电压

47.6 V

电压 - 反向断态（典型值）

30.5V

峰值脉冲电流

32 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

单向

测试电流

1 mA

单向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

30.5 V

电容@频率

-

反向击穿电压

33 V

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

击穿电压-最小值

33 V

最小击穿电压

33 V

辐射硬化

有