Microchip 1N5619E3

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

A, Axial

供应商器件包装

A, Axial

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

1N5619E3

Risk Rank

1.46

Number of Elements

1

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Package

Bulk

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Vr - Reverse Voltage

600 V

Ir - Reverse Current

500 nA

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

通孔

If - Forward Current

3 A

系列

Military, MIL-PRF-19500/429

ECCN 代码

EAR99

类型

标准恢复整流器

HTS代码

8541.10.00.80

技术

Standard

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

O-LALF-W2

配置

SINGLE

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

接收电极

反向泄漏电流@ Vr

500 µA @ 400 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.6 V @ 3 A

箱体转运

ISOLATED

工作温度 - 结点

-65°C ~ 200°C

最大浪涌电流

30 A

输出电流-最大值

1 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

600 V

平均整流电流（Io）

1A

Rep Pk反向电压-最大值

600 V

电容@Vr, F

25pF @ 12V, 1MHz

恢复时间

2 us

反向恢复时间-最大值

0.25 µs

Vf-正向电压

1.6 V