Microchip 1N5621US

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SQ-MELF, A

表面安装

YES

供应商器件包装

D-5A

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Package

Bulk

Base Product Number

1N5621

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

E-LELF-R2

Package Style

长式

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

GLASS

Operating Temperature-Min

-65 °C

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

1N5621US

Package Shape

ELLIPTICAL

Manufacturer

敏创半导体

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SENSITRON SEMICONDUCTOR

Mounting Styles

SMD/SMT

Forward Voltage-Max (VF)

1.6 V

Risk Rank

5.08

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.10.00.80

子类别

研磨二极管

技术

Standard

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

E-LELF-R2

资历状况

不合格

配置

SINGLE

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

接收电极

反向泄漏电流@ Vr

500 nA @ 800 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.6 V @ 3 A

箱体转运

ISOLATED

工作温度 - 结点

-65°C ~ 175°C

输出电流-最大值

1 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

800 V

平均整流电流（Io）

1A

反向恢复时间

300

Rep Pk反向电压-最大值

800 V

电容@Vr, F

20pF @ 12V, 1MHz

二极管配置

Single

重复峰值反向电压

800

反向恢复时间-最大值

0.3 µs

反向恢复时间(trr)

300 ns