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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥184.529111
10
¥174.084066
100
¥164.230253
500
¥154.934197
1000
¥146.164339
1N5630A详情
Microchip 1N5630A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
DO-13
供应商器件包装
DO-13
Package
Bulk
Base Product Number
1N5630
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Breakdown Voltage / V
7.88 V
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Unit Weight
0.049384 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Ipp - Peak Pulse Current
132 A
Pppm - Peak Pulse Power Dissipation
1.5 kW
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
RoHS
N
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
操作温度
-65°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
包装
Bulk
类型
Zener
应用
通用型
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
额定电流
500 uA
终端样式
Axial
工作电压
6.4 V
极性
单向
通道数量
1 Channel
电源线保护
无
电压 - 击穿
7.13V
功率 - 脉冲峰值
1500W (1.5kW)
峰值脉冲电流(10/1000μs)
132A
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值)
11.3V
箝位电压
11.3 V
电压 - 反向断态(典型值)
6.4V
单向通道
1
产品类别
TVS 二极管
电容@频率
-
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes
1N5630A拓展信息
Microchip Technology
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Microchip Technology
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