Microchip 1N5647

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-13

供应商器件包装

DO-13 (DO-202AA)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Power Dissipation (Max)

1 W

Package Style

长式

Package Shape

ROUND

Package Body Material

METAL

Number of Elements

1

Risk Rank

5.22

Package Description

HERMETIC SEALED, METAL GLASS, DO-13, 2 PIN

Part Package Code

DO-13

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Life Cycle Code

活跃

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

1N5647

Package

Bulk

Base Product Number

1N5647

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

42.9 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Ipp - Peak Pulse Current

26.5 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

操作温度

-65°C ~ 175°C (TA)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

锡铅

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-MALF-W2

资历状况

不合格

工作电压

31.6 V

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

CATHODE

电源线保护

无

电压 - 击穿

35.1V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

26.5A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

56.4V

箝位电压

56.4 V

电压 - 反向断态（典型值）

31.6V

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

31.6 V

JEDEC-95代码

DO-202AA

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

击穿电压-最小值

35.1 V

击穿电压-最大值

42.9 V