Microchip 1N5659A

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-13

供应商器件包装

DO-13

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Ihs Manufacturer

SENSITRON SEMICONDUCTOR

Package Description

O-LALF-W2

Risk Rank

5.73

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Manufacturer Part Number

1N5659A

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Supplier Package

DO-13

Peak Pulse Power Dissipation

1500 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

通孔

Package

Bulk

Base Product Number

1N5659

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

126 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.049384 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

9.1 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

操作温度

-65 to 175 °C

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

锡铅

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

额定电流

5 uA

引脚数量

2

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-LALF-W2

工作电压

102 V

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

114V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

9.1A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

165V

箝位电压

165 V

电压 - 反向断态（典型值）

102V

测试电流

1 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

102 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

ESD保护

有

击穿电压-最小值

114 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes