Microchip 1N6053A

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-13

表面安装

NO

供应商器件包装

DO-13

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Supplier Package

DO-13

Peak Pulse Power Dissipation

1500 W

Direction Type

Bi-Directional

Mounting

通孔

Package

Bulk

Base Product Number

1N6053

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

41 V

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

28 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Package Description

O-XALF-W2

Package Style

长式

Package Body Material

UNSPECIFIED

Operating Temperature-Min

-65 °C

Operating Temperature-Max

155 °C

Manufacturer Part Number

1N6053A

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SENSITRON SEMICONDUCTOR

Risk Rank

5.73

Unit Weight

0.049384 oz

操作温度

-65 to 175 °C

系列

-

包装

Bulk

类型

Zener

应用

通用型

附加功能

HIGH RELIABILITY

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

技术

AVALANCHE

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-XALF-W2

工作电压

33 V

极性

双向

配置

Single

通道数量

1 Channel

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

37.1V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

28A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

53.9V

箝位电压

53.9 V

电压 - 反向断态（典型值）

33V

测试电流

1 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

33 V

JEDEC-95代码

DO-13

电容@频率

-

ESD保护

有

击穿电压-最小值

37.1 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes