Microchip 1N6066

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-13

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

引脚数

2

供应商器件包装

DO-13

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

1N6066

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

DO-13

Package Description

HERMETIC SEALED, METAL GLASS, DO-13, 2 PIN

Risk Rank

5.48

Number of Elements

1

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

1 W

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Bulk

Base Product Number

1N6066

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Reverse Stand-off Voltage

105 V

RoHS

Non-Compliant

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.049384 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

微芯片技术

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Zener

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-MALF-W2

资历状况

不合格

极性

BIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

泄漏电流

5 µA

元素配置

Single

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

117V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

7.8A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

191V

箝位电压

191 V

电压 - 反向断态（典型值）

105V

峰值脉冲电流

7.8 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

双向

测试电流

1 mA

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

105 V

JEDEC-95代码

DO-202AA

电容@频率

-

反向击穿电压

117 V

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

击穿电压-最小值

117 V

双向通道数

1

击穿电压-最大值

143 V

最小击穿电压

117 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes