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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥318.191423
10
¥300.180588
100
¥283.189231
500
¥267.159656
1000
¥252.037411
1N6080US详情
Microchip 1N6080US重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SQ-MELF, G
供应商器件包装
G-MELF (D-5C)
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package Style
长式
Package Shape
ROUND
Package Body Material
GLASS
Operating Temperature-Max
155 °C
Number of Elements
1
Forward Voltage-Max (VF)
1.5 V
Risk Rank
5.55
Package Description
O-LELF-R2
Part Package Code
MELF
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Part Life Cycle Code
活跃
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
1N6080US
Package
Bulk
厂商
微芯片技术
Product Status
Discontinued at Digi-Key
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
应用
超快恢复能力
附加功能
HIGH RELIABILITY
HTS代码
8541.10.00.80
技术
Standard
端子位置
END
终端形式
环绕
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
not_compliant
引脚数量
2
JESD-30代码
O-LELF-R2
资历状况
不合格
配置
SINGLE
速度
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
二极管类型
接收电极
反向泄漏电流@ Vr
10 µA @ 100 V
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.5 V @ 37.7 A
箱体转运
ISOLATED
工作温度 - 结点
-65°C ~ 155°C
输出电流-最大值
2 A
电压 - 直流逆向(Vr)(最大值)
100 V
平均整流电流(Io)
2A
相位的数量
1
Rep Pk反向电压-最大值
100 V
电容@Vr, F
-
最大非代表Pk前进电流
175 A
反向恢复时间-最大值
0.03 µs
反向恢复时间(trr)
30 ns
1N6080US拓展信息
Microchip Technology
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