Microchip 1N6161US

工厂交货时间

17 Weeks

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SQ-MELF, C

供应商器件包装

C, SQ-MELF

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

1N6161US

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

SEMTECH CORP

Package Description

O-XELF-N2

Risk Rank

5.34

Breakdown Voltage-Nom

55.8 V

Number of Elements

1

Package Body Material

UNSPECIFIED

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

7.5 W

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Bulk

Base Product Number

1N6161

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

MIL-PRF-19500/516

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

END

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

终端样式

SMD/SMT

JESD-30代码

O-XELF-N2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

ISOLATED

电源线保护

无

电压 - 击穿

58.9V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

17.6A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

85.3V

电压 - 反向断态（典型值）

47.1V

产品类别

TVS 二极管

双向通道

1

Rep Pk反向电压-最大值

47.1 V

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

击穿电压-最小值

55.8 V

最大箝位电压

89.3 V