1N6357详情
Microchip 1N6357重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
DO-13-2
表面安装
NO
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Vesd - Voltage ESD Contact
-
Unit Weight
0.052911 oz
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
RoHS
N
Vesd - Voltage ESD Air Gap
-
Package Description
O-MALF-W2
Package Style
长式
Package Body Material
METAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
1N6357
Power Dissipation (Max)
1 W
Package Shape
ROUND
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Risk Rank
5.31
Part Package Code
DO-13
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8541.10.00.50
子类别
TVS Diodes / ESD Suppression Diodes
技术
AVALANCHE
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
2
终端样式
Axial
JESD-30代码
O-MALF-W2
资历状况
不合格
极性
单向
配置
SINGLE
二极管类型
跨压抑制二极管
箱体转运
CATHODE
产品类别
TVS 二极管
Rep Pk反向电压-最大值
8 V
JEDEC-95代码
DO-202AA
最大非代表峰值转速功率Dis
1500 W
击穿电压-最小值
9.4 V
产品类别
ESD Suppressors / TVS Diodes
1N6357拓展信息
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology
Microchip Technology








哦! 它是空的。