Microchip 1N6360

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-13

触点镀层

Lead, Tin

底架

通孔

引脚数

2

供应商器件包装

DO-13

Supplier Package

DO-13

Peak Pulse Power Dissipation

1500 W

Direction Type

Uni-Directional

Mounting

通孔

Package

Bulk

Base Product Number

1N6360

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Schedule B

8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/8541100080/85

Reverse Stand-off Voltage

15 V

Number of Elements

1

RoHS

Compliant

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.049384 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

操作温度

-65 to 175 °C

系列

-

包装

Bulk

类型

Zener

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

组成

Zener

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

引脚数量

2

终端样式

Axial

极性

单向

配置

Single

泄漏电流

2 µA

元素配置

Single

电源线保护

无

电压 - 击穿

17.6V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

60A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

20.6V

箝位电压

20.6 V

电压 - 反向断态（典型值）

15V

峰值脉冲电流

60 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

单向

测试电流

1 mA

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

电容@频率

-

反向击穿电压

17.6 V

ESD保护

有

单向通道数

1

最小击穿电压

17.6 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes

无铅

无铅