Microchip 1N6362

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-13

供应商器件包装

DO-13

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

1N6362

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

DO-13

Package Description

HERMETIC SEALED, METAL, DO-13, 2 PIN

Risk Rank

5.41

Breakdown Voltage-Nom

26 V

Number of Elements

1

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

1 W

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Package

Bulk

Base Product Number

1N6362

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Unit Weight

0.049384 oz

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

Zener

端子表面处理

锡铅

应用

通用型

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

终端样式

Axial

JESD-30代码

O-MALF-W2

资历状况

不合格

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

跨压抑制二极管

箱体转运

CATHODE

电源线保护

无

电压 - 击穿

25.9V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

40A

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

32V

电压 - 反向断态（典型值）

22V

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

Rep Pk反向电压-最大值

22 V

JEDEC-95代码

DO-202AA

电容@频率

-

最大非代表峰值转速功率Dis

1500 W

击穿电压-最小值

25.9 V

最大箝位电压

32 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes