Microchip 1N6471US

生命周期状态

Production (Last Updated: 1 month ago)

触点镀层

Lead, Tin

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SQ-MELF, G

引脚数

2

供应商器件包装

G-MELF (D-5C)

Reverse Stand-off Voltage

12 V

RoHS

Compliant

Package

Bulk

Base Product Number

1N6471

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Breakdown Voltage / V

13.6 V

Pd - Power Dissipation

3 W

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Vesd - Voltage ESD Contact

-

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Ipp - Peak Pulse Current

374 A

Pppm - Peak Pulse Power Dissipation

1.5 kW

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Vesd - Voltage ESD Air Gap

-

操作温度

-55°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

类型

Zener

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-55 °C

组成

Zener

应用

通用型

子类别

TVS Diodes / ESD Suppression Diodes

额定电流

20 uA

终端样式

SMD/SMT

工作电压

12 V

极性

单向

元素配置

Single

电源线保护

无

电压 - 击穿

13.6V

功率 - 脉冲峰值

1500W (1.5kW)

峰值脉冲电流（10/1000μs）

374A (8/20µs)

不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）

22.6V

箝位电压

22.6 V

电压 - 反向断态（典型值）

12V

峰值脉冲电流

374 A

峰值脉冲功率

1.5 kW

方向

单向

单向通道

1

产品类别

TVS 二极管

电容@频率

-

单向通道数

1

最小击穿电压

13.6 V

Vf-正向电压

1.5 V

产品类别

ESD Suppressors / TVS Diodes