Microchip 1N649UR-1

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

表面安装

YES

安装类型

表面贴装

包装/外壳

DO-213AA (Glass)

触点镀层

Lead, Tin

底架

表面贴装

引脚数

2

供应商器件包装

DO-213AA

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

1N649UR-1

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

DO-213AA

Package Description

HERMETIC SEALED, GLASS PACKAGE-2

Risk Rank

5.42

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

0.5 W

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Peak Rep Rev Volt

600(V)

Peak Forward Voltage

1(V)

Package Type

DO-213AA

Maximum Forward Current

400(mA)

Operating Temp Range

-65C to 175C

Rad Hardened

无

Rectifier Type

开关二极管

Mounting

表面贴装

Package

Bulk

Base Product Number

1N649

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Vr - Reverse Voltage

600 V

Ir - Reverse Current

50 nA

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

SMD/SMT

Brand

微芯片技术

If - Forward Current

400 mA

RoHS

N

Schedule B

8541100080

包装

Bag

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

类型

标准恢复整流器

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

175 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.10.00.70

子类别

Diodes & Rectifiers

技术

Standard

端子位置

END

终端形式

环绕

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

2

JESD-30代码

O-LELF-R2

配置

SINGLE

元素配置

Single

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

二极管类型

接收电极

反向泄漏电流@ Vr

50 nA @ 600 V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1 V @ 400 mA

箱体转运

ISOLATED

正向电流

400 mA

工作温度 - 结点

-65°C ~ 175°C

最大浪涌电流

5 A

输出电流-最大值

0.4 A

电压 - 直流逆向（Vr）（最大值）

600 V

平均整流电流（Io）

400mA

最大反向电压（DC）

600 V

平均整流电流

400 mA

产品类别

Rectifiers

峰值反向电流

0.05(uA)

最大重复反向电压(Vrrm)

600 V

Rep Pk反向电压-最大值

600 V

JEDEC-95代码

DO-213AA

电容@Vr, F

-

峰值非恢复性浪涌电流

5(A)

二极管配置

Single

重复峰值反向电压

600

产品

Rectifiers

Vf-正向电压

1 V

产品类别

Rectifiers