Microchip 1N751C-1E3

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

DO-204AH, DO-35, Axial

供应商器件包装

DO-35 (DO-204AH)

二极管元件材料

SILICON

终端数量

2

Manufacturer Part Number

1N751C-1E3

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

DO-35

Package Description

O-LALF-W2

Risk Rank

5.18

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

175 °C

Operating Temperature-Min

-65 °C

Package Body Material

GLASS

Package Shape

ROUND

Package Style

长式

Power Dissipation (Max)

0.4 W

Reference Voltage-Nom

5.1 V

Package

Bulk

Impedance (Max) (Zzt)

14 Ohms

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Zz - Zener Impedance

17 Ohms

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

通孔

Vz - Zener Voltage

5.1 V

Voltage Temperature Coefficient

-

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

容差

±2%

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

冶金结合

HTS代码

8541.10.00.50

端子位置

AXIAL

终端形式

WIRE

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-LALF-W2

极性

UNIDIRECTIONAL

配置

SINGLE

二极管类型

泽纳电极

反向泄漏电流@ Vr

5 µA @ 2 V

功率耗散

500

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

1.1 V @ 200 mA

箱体转运

ISOLATED

功率 - 最大

500 mW

测试电流

20 mA

电压 - 齐纳（标准值）（Vz）

5.1 V

最大电压允差

2%

JEDEC-95代码

DO-204AH

电压允差

2 %

齐纳电流

75 mA