1N825A-1E3详情
Microchip 1N825A-1E3重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
安装类型
通孔
包装/外壳
DO-204AH, DO-35, Axial
供应商器件包装
DO-35 (DO-204AH)
二极管元件材料
SILICON
终端数量
2
Manufacturer Part Number
1N825A-1E3
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Part Package Code
DO-35
Package Description
O-LALF-W2
Risk Rank
1.85
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
175 °C
Operating Temperature-Min
-55 °C
Package Body Material
GLASS
Package Shape
ROUND
Package Style
长式
Power Dissipation (Max)
0.5 W
Reference Voltage-Nom
6.2 V
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Package
Bag
Base Product Number
1N825
Impedance (Max) (Zzt)
10 Ohms
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Ir - Reverse Current
2 uA
Zz - Zener Impedance
10 Ohms
Ir - Maximum Reverse Leakage Current
2 uA
Pd - Power Dissipation
500 mW
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Unit Weight
0.005291 oz
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Brand
微芯片技术
Vz - Zener Voltage
6.2 V
RoHS
Details
Voltage Temperature Coefficient
0.002 %/C
操作温度
-55°C ~ 175°C (TJ)
系列
-
包装
Bulk
容差
±5%
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
HTS代码
8541.10.00.50
端子位置
AXIAL
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
2
JESD-30代码
O-LALF-W2
配置
SINGLE
二极管类型
泽纳电极
反向泄漏电流@ Vr
2 µA @ 3 V
功率耗散
500
箱体转运
ISOLATED
功率 - 最大
500 mW
测试电流
7.5 mA
电压 - 齐纳(标准值)(Vz)
5.89 V
产品类别
齐纳二极管
最大电压允差
5%
JEDEC-95代码
DO-204AH
工作测试电流
7.5 mA
电压允差
5 %
齐纳电流
2 uA
动态阻抗-最大值
10 Ω
电压温度系数
0.124 mV/°C
产品类别
齐纳二极管
长度
5.08 mm
直径
2.29 mm
1N825A-1E3拓展信息
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip








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