Microchip 2N2221AUA

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

NPN

Emitter-Base Voltage

6(V)

Package Type

UA

Collector-Base Voltage

75(V)

Category

双极电源

Operating Temp Range

-65C to 200C

Collector Current (DC)

0.8(A)

Number of Elements

1

Rad Hardened

无

DC Current Gain

30

Mounting

表面贴装

Package Description

CERAMIC PACKAGE-4

Package Style

小概要

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

2N2221AUA

Turn-on Time-Max (ton)

35 ns

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Microsemi Corporation

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

300 ns

Risk Rank

5.06

Emitter- Base Voltage VEBO

6 V

Pd - Power Dissipation

500 mW

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Collector-Emitter Saturation Voltage

1 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

SMD/SMT

Gain Bandwidth Product fT

-

Maximum DC Collector Current

800 mA

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

包装

Waffle

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

其他晶体管

技术

Si

端子位置

DUAL

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

4

JESD-30代码

R-CDSO-N4

资历状况

不合格

配置

Single

功率耗散

500

输出功率

Not Required(W)

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

集电极基极电压(VCBO)

75 V

最大耗散功率(Abs)

0.65 W

集电极电流-最大值(IC)

0.8 A

最小直流增益（hFE）

20

连续集电极电流

800

集电极-发射器电压-最大值

50 V