Microchip 2N2222AE3

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-18 (TO-206AA)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Transistor Polarity

NPN

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

800 mA

Base Product Number

2N2222

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

RoHS

Compliant

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Moisture Sensitivity Levels

1

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

2N2222AE3

Turn-on Time-Max (ton)

35 ns

Package Shape

ROUND

Manufacturer

Microsemi Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Turn-off Time-Max (toff)

300 ns

Risk Rank

5

Part Package Code

BCY

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e3

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn)

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

HTS代码

8541.21.00.95

最大功率耗散

500 mW

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

配置

SINGLE

功率耗散

500

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

500 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

50 V

最大集电极电流

800 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

50nA

JEDEC-95代码

TO-206AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

75 V

集电极电流-最大值(IC)

0.8 A

最小直流增益（hFE）

30

连续集电极电流

800

集电极-发射器电压-最大值

50 V

辐射硬化

无