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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥28.487938
10
¥26.875411
100
¥25.354161
500
¥23.919019
1000
¥22.565113
2N2369A详情
Microchip 2N2369A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
TO-18-3
安装类型
通孔
供应商器件包装
TO-18 (TO-206AA)
Transistor Polarity
NPN
Emitter- Base Voltage VEBO
4.5 V
Pd - Power Dissipation
360 mW
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
Collector-Emitter Saturation Voltage
450 mV
Unit Weight
0.496363 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Gain Bandwidth Product fT
-
Manufacturer
Microchip
Brand
Microchip Technology / Atmel
Maximum DC Collector Current
100 mA
RoHS
N
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
15 V
Package
Bulk
Base Product Number
2N2369
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
包装
Bulk
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
-
子类别
Transistors
技术
Si
配置
Single
功率耗散
360
功率 - 最大
360 mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 100mA, 1V
最大集极截止电流
400nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
450mV @ 10mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
15 V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
40 V
连续集电极电流
100
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
2N2369A拓展信息
Microchip Technology
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