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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥429.464496
10
¥405.155182
100
¥382.221871
500
¥360.586672
1000
¥340.176108
2N2369AU详情
Microchip 2N2369AU重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
安装类型
表面贴装
包装/外壳
-
供应商器件包装
SMD
终端数量
6
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
2N2369AU
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
MICROSEMI CORP
Package Description
SURFACE MOUNT PACKAGE-6
Risk Rank
5.21
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
200 °C
Package Body Material
UNSPECIFIED
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Turn-off Time-Max (toff)
18 ns
Turn-on Time-Max (ton)
12 ns
Package
Bulk
Base Product Number
2N2369
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Mounting Styles
通孔
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
-
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
HTS代码
8541.21.00.95
技术
Si
端子位置
DUAL
终端形式
无铅
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
6
JESD-30代码
R-XDSO-N6
资历状况
不合格
配置
SINGLE
功率 - 最大
500 mW
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
NPN
晶体管类型
NPN
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
20 @ 100mA, 1V
最大集极截止电流
400nA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
450mV @ 10mA, 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)
15 V
频率转换
-
最大耗散功率(Abs)
1.5 W
最小直流增益(hFE)
20
集电极-发射器电压-最大值
15 V
2N2369AU拓展信息
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip
Microchip







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