Microchip 2N2432

生命周期状态

Production (Last Updated: 2 months ago)

包装/外壳

TO-18-3

底架

通孔

安装类型

通孔

表面安装

NO

引脚数

3

供应商器件包装

TO-18 (TO-206AA)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

02401022

Approvals

CSA

Manufacturer

Hubbell

Transistor Polarity

NPN

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Brand

微芯片技术

RoHS

N

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

Base Product Number

2N2432

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

175 °C

Rohs Code

有

Transition Frequency-Nom (fT)

20 MHz

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.19

Part Package Code

BCY

包装

Bulk

操作温度

-65°C ~ 175°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铅

最高工作温度

200 °C

最小工作温度

-65 °C

子类别

Transistors

最大功率耗散

300 mW

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

功率 - 最大

300 mW

晶体管应用

CHOPPER

极性/通道类型

NPN

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

集电极发射器电压(VCEO)

30 V

最大集电极电流

100 mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 1mA, 5V

最大集极截止电流

10nA

JEDEC-95代码

TO-206AA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

-

电压 - 集射极击穿（最大值）

30 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

30 V

最大耗散功率(Abs)

0.3 W

集电极电流-最大值(IC)

0.1 A

最小直流增益（hFE）

50

连续集电极电流

100

集电极-发射器电压-最大值

30 V

网格长度

23 Inches

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

辐射硬化

无