Microchip 2N2432UB

安装类型

表面贴装

包装/外壳

4-SMD, No Lead

供应商器件包装

UB

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

100 mA

Base Product Number

2N2432

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Pd - Power Dissipation

600 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 175 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

30

Collector-Emitter Saturation Voltage

150 uV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Maximum DC Collector Current

100 mA

DC Current Gain hFE Max

400

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

30 V

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Waffle

子类别

Transistors

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

360 mW

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 1mA, 5V

最大集极截止电流

10nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

150mV @ 500µA, 10mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

30 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

30 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT