Microchip 2N2609

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-206AA, TO-18-3 Metal Can

表面安装

NO

供应商器件包装

TO-18 (TO-206AA)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer

Amphenol

Manufacturer Part Number

97-3057-10

Package

Bag

Base Product Number

2N2609

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Pd - Power Dissipation

300 mW

Transistor Polarity

P-Channel

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Drain-Source Current at Vgs=0

- 10 mA

Mounting Styles

通孔

Brand

Microchip Technology / Atmel

RoHS

N

Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage

30 V

Gate-Source Cutoff Voltage

6 V

Package Description

TO-18, 3 PIN

Package Style

CYLINDRICAL

Package Body Material

METAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

200 °C

Rohs Code

无

Package Shape

ROUND

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Risk Rank

5.14

Part Package Code

BCY

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8541.21.00.95

子类别

Transistors

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

unknown

引脚数量

3

JESD-30代码

O-MBCY-W3

资历状况

不合格

配置

Single

操作模式

DEPLETION MODE

箱体转运

GATE

功率 - 最大

300 mW

场效应管类型

P-Channel

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

10pF @ 5V

极性/通道类型

P-CHANNEL

产品类别

JFETs

JEDEC-95代码

TO-206AA

信道型

P

场效应管技术

JUNCTION

最大耗散功率(Abs)

0.3 W

漏极电流（Idss） @ Vds (Vgs=0)

2 mA @ 5 V

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

750 mV @ 1 A

电压 - 击穿 （V（BR）GSS）

30 V

最大漏极电流（Id）

10 mA

产品类别

JFET