Microchip 2N2905Ae3

表面安装

NO

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AD, TO-39-3 Metal Can

供应商器件包装

TO-39 (TO-205AD)

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

2N2905AE3

Rohs Code

有

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

MICROSEMI CORP

Part Package Code

BCY

Package Description

CYLINDRICAL, O-MBCY-W3

Risk Rank

5.04

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

200 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

ROUND

Package Style

CYLINDRICAL

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

200 MHz

Turn-off Time-Max (toff)

300 ns

Turn-on Time-Max (ton)

45 ns

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

1 µA

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

800 mW

Transistor Polarity

PNP

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

75

Collector-Emitter Saturation Voltage

400 mV

Unit Weight

0.035274 oz

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Brand

Microchip Technology / Atmel

Maximum DC Collector Current

600 mA

RoHS

Details

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

60 V

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

附加功能

HIGH RELIABILITY

HTS代码

8541.21.00.75

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

WIRE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

2

JESD-30代码

O-MBCY-W3

配置

SINGLE

箱体转运

COLLECTOR

功率 - 最大

800 mW

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

PNP

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

PNP

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

最大集极截止电流

1µA

JEDEC-95代码

TO-205AD

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 50mA, 500mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

60 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

60 V

最大耗散功率(Abs)

3 W

集电极电流-最大值(IC)

0.6 A

最小直流增益（hFE）

50

连续集电极电流

600 mA

集电极-发射器电压-最大值

60 V

产品类别

Bipolar Transistors - BJT