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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥146.154151
10
¥137.881271
100
¥130.076671
500
¥122.71384
1000
¥115.76778
2N2945A详情
Microchip 2N2945A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-206AB, TO-46-3 Metal Can
供应商器件包装
TO-46
Package
Bulk
Current-Collector (Ic) (Max)
100 mA
Base Product Number
2N2945
厂商
微芯片技术
Product Status
活跃
Emitter- Base Voltage VEBO
25 V
Pd - Power Dissipation
400 mW
Transistor Polarity
PNP
Maximum Operating Temperature
+ 200 C
DC Collector/Base Gain hfe Min
70
Collector-Emitter Saturation Voltage
-
Unit Weight
0.132912 oz
Minimum Operating Temperature
- 65 C
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1
Mounting Styles
通孔
Gain Bandwidth Product fT
-
Manufacturer
Microchip
Brand
微芯片技术
Maximum DC Collector Current
100 mA
RoHS
N
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
20 V
操作温度
-65°C ~ 200°C (TJ)
系列
-
包装
Bulk
子类别
Transistors
技术
Si
配置
Single
功率 - 最大
400 mW
产品类别
BJTs - Bipolar Transistors
晶体管类型
PNP
最小直流增益(hFE)@ Ic, Vce
70 @ 1mA, 500mV
最大集极截止电流
10µA (ICBO)
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度(最大值)
-
电压 - 集射极击穿(最大值)
20 V
频率转换
-
集电极基极电压(VCBO)
25 V
产品类别
Bipolar Transistors - BJT
2N2945A拓展信息
Microchip Technology
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