Microchip 2N3421

安装类型

通孔

包装/外壳

TO-205AA, TO-5-3 Metal Can

供应商器件包装

TO-5

Qualification

AEC-Q200

Package

Bulk

Current-Collector (Ic) (Max)

3 A

Base Product Number

2N3421

厂商

微芯片技术

Product Status

活跃

Emitter- Base Voltage VEBO

8 V

Pd - Power Dissipation

1 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

40 at 100mA, 2 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

500 mV

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

1

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

-

Manufacturer

Microchip

Brand

微芯片技术

Maximum DC Collector Current

3 A

DC Current Gain hFE Max

120 at 1 A, 2 V

RoHS

N

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

操作温度

-65°C ~ 200°C (TJ)

系列

-

包装

Bulk

电阻

1 MOhm

子类别

Transistors

额定功率

0.4 W

技术

Si

配置

Single

功率 - 最大

1 W

产品类别

BJTs - Bipolar Transistors

晶体管类型

NPN

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

40 @ 1A, 2V

最大集极截止电流

5µA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

500mV @ 200mA, 2A

电压 - 集射极击穿（最大值）

80 V

频率转换

-

集电极基极电压(VCBO)

125 V

电阻公差

2

连续集电极电流

3 A

产品类别

Bipolar Transistors - BJT

宽度

8.51 mm

高度

6.6 mm

长度

9.4 mm